Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC1815O

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2SC1815O: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小95KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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2SC1815O概述

Transistor

2SC1815O规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

2SC1815

FEATURES

Power dissipation

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

150

400

125

-55-125

Units

℃

3.BASE

TRANSISTOR (NPN)

TO-92

1.EMITTER

2.COLLECTOR

1 2 3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector Output Capacitance

Noise Figure

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

CEO

EBO

CE(sat)

BE(sat)

Cob

Test

conditions

MIN

0.1

700

0.25

3.5

MHz

TYP

MAX

UNIT

= 100uA, I

= 0. 1mA, I

= 100uA, I

= 60V,I

= 50V, I

=5V,I

= 6 V, I

= 2mA

=100mA, I

=10mA

=100mA, I

=10mA

=10 V, I

= 1mA

f=30MHz

=10V,I

f=1MHz

=6V,I

=0.1mA

f =1KHz,R

=10K

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

70-140

120-240

200-400

350-700

推荐资源

自动延边△形降压启动电路之一

有音响控制的前置放大器

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全自动充电器电路图2

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半导体巨头尔必达有望月内获得日本政府注资

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WAPI晋身国际标准　「中国芯」优势何在？

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AMEC ：中国制造风光无限

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台湾DRAM厂与海力士拆伙拟与TMC合作

据台湾媒体报道，台湾DRAM厂茂德科技董事会日前决议，与合作伙伴韩国海力士半导体(Hynix)签订停止合作协议书。茂德表示，未来将转与台湾内存公司(TMC)等合作。茂德甫于去年5月与海力士签署策略联盟合约，不仅延续双方既有的技术合作伙伴关系，海力士将技转50纳米世代堆叠式DRAM制程技术给茂德；海力士还斥资新台币34.56亿元，取得5.76亿股茂德私募增资股。此外，海...[详细]
超微半导体(中国)有限公司落户沈阳浑南新区

沈阳市政府和超微半导体（中国）有限公司（简称AMD）在沈签署战略合作备忘录，双方期望通过密切合作，推动沈阳乃至东北地区信息化建设和信息产业的发展。战略合作备忘录签署后，双方将在工业化和信息化融合、信息化建设及信息产业发展、高端人才培养等三个方面开展战略合作。在工业化及信息化融合方面：计划在行业应用软件、集成电路、数字化装备、工业自动化等领域开展长期战略合作。A...[详细]
多晶硅疾进：一个西部城市的千亿宏图

在当地政府的推动下，一个西部新能源基地，正在酝酿。　　地处成都、川南和攀西三大经济区结合部的四川乐山，正试图通过打造三条产业链——太阳能光伏硅材料产业链、电子级硅材料产业链、硅化工循环利用产业链。　　据来自乐山市政府的资料显示，2008年，乐山电子及硅材料产业集群实现主营业务收入69.6亿元，同比增长40%，其中，多晶硅产量1180吨。　　“截至6月底，全市已形成年产多晶...[详细]
09二季全球DRAM产业营收涨幅高达27.1%

根据集邦科技调查统计，2009年第二季，DRAM合约价在减产效应持续发酵，计算机系统厂商在低价持续拉高库存水位下，第二季DRAM合约季均价上涨23%。现货价格亦在减产效应下，供给吃紧，DDR21Gb667MHz现货价格在五月一度站上1.27美元。许多市场人士乐观期待DDR21Gb在六月底站上1.5美元。但在五月下旬，传出某DRAM厂商释出低价颗粒到现货市场，而使六月现货价格维持在1...[详细]
英特尔:从撤资到再投资，究竟意味着什么？

今年2月，全球最大芯片制造商美国英特尔公司突然宣布：在12个月内关闭其设在外高桥保税区的英特尔产品（上海）有限公司。由于关厂涉及近2000名员工就业，此事立即在国内外引起很大反响。5个多月后，关闭工厂的工作仍在进行，但由英特尔公司和意法半导体公司共同投资的全球最大NOR闪存企业Numonyx公司，却出资3000多万美元，与外高桥保税区新发展有限公司签署厂房租赁合同，新设立创忆半导体（上海）...[详细]
东芝大砍6成芯片支出转加强电力及基础建设

日本芯片制造业龙头东芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片业务资本支出增长将减缓，并寻求扩张核能发电及智能型电网业务，3年后其电力及基础建设业务的获利，将达电子产品部的2倍。东芝的半导体部门已连续3季出现营业亏损，使其减缓该部门支出，并在其它领域寻求固定营收来源，例如健康医疗及水处理等。东芝目前预期，包含微芯片、传感器及液晶显示器(LCD)等电子产品部门于2012年...[详细]
英刊："世界工厂"希望成"世界大脑"

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工信部：3月电子信息产业出现回暖迹象

昨天，工业和信息化部发布3月份电子信息产业经济运行情况。尽管电子信息产业下行趋势明显，但近期随着国家扩内需政策效应逐步显现，产业出现一些回暖迹象。从生产来看，我国电子信息产业的生产增速出现了小幅反弹，虽然1-3月我国规模以上电子信息制造业销售产值同比依然下降了9.2个百分点，但与1-2月数据相比，回升4.1个百分点。从出口来看，下滑幅度也在逐月放缓。1-3月，规模以上电...[详细]
EMS供应商收入大幅缩水，富士康风光不再

由iSuppli公司提供的市场份额初步统计结果显示，多年来独力推动全球电子制造业务(EMS)增长的富士康泓海公司在2008年的收入增长微不足道，这使顶级的EMS市场缩小。根据iSuppli的初步估计，2008年全球前十位EMS供应商的整体收入达1299亿美元，较2007年的1336亿美元下降了2.8%。相比2007年19.2%的增长率和2006年20.3%的增长率，其下降幅度很大...[详细]

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