HM4-65788M-8概述

Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CQCC22,

HM4-65788M-8规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	TEMIC
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XQCC-N22
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
端子数量	22
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC22,.3X.5
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD

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HM4-65788M-8相似产品对比

	HM4-65788M-8	HM1-65788N-8	HM1-65788K-8	HM4-65788K-8	HM1-65788M-8	HM4-65788N-8
描述	Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CQCC22,	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22,	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP22,	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC22,	Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CDIP22,	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CQCC22,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	45 ns	55 ns	35 ns	35 ns	45 ns	55 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XQCC-N22	R-XDIP-T22	R-XDIP-T22	R-XQCC-N22	R-XDIP-T22	R-XQCC-N22
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
端子数量	22	22	22	22	22	22
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	QCCN	DIP	DIP	QCCN	DIP	QCCN
封装等效代码	LCC22,.3X.5	DIP22,.3	DIP22,.3	LCC22,.3X.5	DIP22,.3	LCC22,.3X.5
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.07 mA	0.07 mA	0.07 mA	0.07 mA	0.07 mA	0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD

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