Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126FP, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | SIP |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 0.7 A |
基于收集器的最大容量 | 20 pF |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 120 |
JEDEC-95代码 | TO-126 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | PNP |
功耗环境最大值 | 5 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
VCEsat-Max | 0.4 V |
Base Number Matches | 1 |
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