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2SB874C

产品描述2A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小34KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SB874C概述

2A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

2SB874C规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

2SB874C相似产品对比

2SB874C 2SB874B
描述 2A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB 2A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 60
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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