Power Bipolar Transistor, 35A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 35 A |
| 基于收集器的最大容量 | 800 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 8 |
| JEDEC-95代码 | TO-204AE |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 300 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 300 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 15 MHz |
| 最大开启时间（吨） | 120 ns |
| VCEsat-Max | 5 V |
| Base Number Matches | 1 |
| 2N6924A | 2N6924 | 2N6925A | 2N6925 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 35A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin | Power Bipolar Transistor, 35A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin | Power Bipolar Transistor, 35A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin | Power Bipolar Transistor, 35A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 35 A | 35 A | 35 A | 35 A |
| 基于收集器的最大容量 | 800 pF | 800 pF | 800 pF | 800 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V | 400 V | 450 V | 450 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 8 | 8 | 8 | 8 |
| JEDEC-95代码 | TO-204AE | TO-204AE | TO-204AE | TO-204AE |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 300 W | 300 W | 300 W | 300 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 300 W | 300 W | 300 W | 300 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 15 MHz | 15 MHz | 15 MHz | 15 MHz |
| 最大开启时间（吨） | 120 ns | 120 ns | 120 ns | 120 ns |
| VCEsat-Max | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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