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2SB1253P

产品描述Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TOP3, FULL PACK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SB1253P概述

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TOP3, FULL PACK-3

2SB1253P规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-3-3L
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压110 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)8000
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1

2SB1253P相似产品对比

2SB1253P 2SB1253Q
描述 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TOP3, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TOP3, FULL PACK-3
零件包装代码 TO-3-3L TO-3-3L
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 6 A 6 A
集电极-发射极最大电压 110 V 110 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 8000 5000
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 3 W 3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 20 MHz 20 MHz
Base Number Matches 1 1
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