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2SB1216S(TP)

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-251VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2SB1216S(TP)概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-251VAR

2SB1216S(TP)规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)4 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)140
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
表面贴装NO
Base Number Matches1

2SB1216S(TP)相似产品对比

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描述 TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-251VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-251VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-252VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-252VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-251VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-252VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-252VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-251VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-252VAR
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A
配置 Single Single Single Single Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 140 70 70 100 100 140 200 100 100
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W
表面贴装 NO NO YES YES NO YES YES NO YES
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 1
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