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2SB1025DH

产品描述1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小49KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SB1025DH概述

1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3

2SB1025DH规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
包装说明UPAK-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)140 MHz
Base Number Matches1

2SB1025DH相似产品对比

2SB1025DH 2SB1025DJ 2SB1025DK
描述 1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3 1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3 1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3
是否无铅 含铅 含铅 含铅
包装说明 UPAK-3 UPAK-3 UPAK-3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 100 160
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 140 MHz 140 MHz 140 MHz
Base Number Matches 1 1 1

 
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