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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N2119
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2N2119

产品描述Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB，共1页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
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2N2119概述

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, 3 Pin,

2N2119规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-114
JESD-30 代码O-MUPM-D3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值250 W
最大功率耗散 (Abs)250 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

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