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2N5386

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小61KB,共1页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
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2N5386概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin,

2N5386规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-61
JESD-30 代码O-MUPM-D3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)3.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
VCEsat-Max0.6 V
Base Number Matches1
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