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IXTD12N90-7L

产品描述Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-7
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小278KB,共1页
制造商IXYS
标准
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IXTD12N90-7L概述

Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-7

IXTD12N90-7L规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIE
包装说明DIE-7
针数7
Reach Compliance Codecompli
其他特性MEGAFET
配置SINGLE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏源导通电阻0.9 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUUC-N7
元件数量1
端子数量7
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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