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NSB8MT-E3/I

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小127KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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NSB8MT-E3/I概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

NSB8MT-E3/I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明D2PAK-3/2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流10 µA
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
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