Memory IC, 2MX16, CMOS, PBGA48
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | NanoAmp ( ON Semiconductor ) |
| 包装说明 | FBGA, BGA48,6X8,30 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 33554432 bit |
| 内存宽度 | 16 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 组织 | 2MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00012 A |
| 最大压摆率 | 0.025 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| N32T1630C1EZ-70I | N32T1630C1EZ-60I | |
|---|---|---|
| 描述 | Memory IC, 2MX16, CMOS, PBGA48 | Memory IC, 2MX16, CMOS, PBGA48 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | NanoAmp ( ON Semiconductor ) | NanoAmp ( ON Semiconductor ) |
| 包装说明 | FBGA, BGA48,6X8,30 | FBGA, BGA48,6X8,30 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 70 ns | 60 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 33554432 bit | 33554432 bit |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 端子数量 | 48 | 48 |
| 字数 | 2097152 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | 2000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C | -25 °C |
| 组织 | 2MX16 | 2MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA48,6X8,30 | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源 | 3 V | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00012 A | 0.00012 A |
| 最大压摆率 | 0.025 mA | 0.025 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
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