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PN2222AD26Z

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小899KB,共17页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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PN2222AD26Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

PN2222AD26Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)75
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)285 ns
最大开启时间(吨)35 ns

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PN2222A / MMBT2222A / PZT2222A
PN2222A
MMBT2222A
C
PZT2222A
C
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
Mark: 1P
B
SOT-223
NPN General Purpose Amplifier
This device is for use as a medium power amplifier and
switch requiring collector currents up to 500 mA. Sourced
from Process 19.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
40
75
6.0
1.0
-55 to +150
Units
V
V
V
A
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
PN2222A
625
5.0
83.3
200
Max
*MMBT2222A
350
2.8
357
**PZT2222A
1,000
8.0
125
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
1998 Fairchild Semiconductor Corporation

PN2222AD26Z相似产品对比

PN2222AD26Z PN2222AD74Z PN2222AJ18Z PN2222AJ05Z PN2222AD27Z PN2222AD75Z
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 3 PIN 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合 不符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknown compliant compliant unknown unknow
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 75 75 75 75 75 75
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0 e3 e3 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W 0.625 W 0.625 W 0.625 W 0.625 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz
最大关闭时间(toff) 285 ns 285 ns 285 ns 285 ns 285 ns 285 ns
最大开启时间(吨) 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns
厂商名称 Fairchild - Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild
ECCN代码 EAR99 EAR99 - - EAR99 EAR99
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 - - TO-92 TO-92
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