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2N6792TX

产品描述2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小810KB,共6页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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2N6792TX概述

2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

2N6792TX规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknow
其他特性RADIATION HARDENED
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻1.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态COMMERCIAL
参考标准MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2N6792TX相似产品对比

2N6792TX 2N6792
描述 2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF 2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
Reach Compliance Code unknow unknow
其他特性 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V 400 V
最大漏极电流 (ID) 2 A 2 A
最大漏源导通电阻 1.8 Ω 1.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-205AF TO-205AF
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 10 A 10 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
帮忙分析下这个电路,将将其原理
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