2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
参数名称 | 属性值 |
Reach Compliance Code | unknow |
其他特性 | RADIATION HARDENED |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V |
最大漏极电流 (ID) | 2 A |
最大漏源导通电阻 | 1.8 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-205AF |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A |
认证状态 | COMMERCIAL |
参考标准 | MILITARY STANDARD (USA) |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
2N6792TX | 2N6792 | |
---|---|---|
描述 | 2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
其他特性 | RADIATION HARDENED | RADIATION HARDENED |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V | 400 V |
最大漏极电流 (ID) | 2 A | 2 A |
最大漏源导通电阻 | 1.8 Ω | 1.8 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-205AF | TO-205AF |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A | 10 A |
认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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