PBLS6003D/T2,PBLS6003D/T2 pdf中文资料,PBLS6003D/T2引脚图,PBLS6003D/T2电路-Datasheet-电子工程世界

PBLS6003D/T2: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小255KB，共17页; 制造商Nexperia; 官网地址https://www.nexperia.com; 标准

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PBLS6003D/T2概述

Small Signal Bipolar Transistor

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Nexperia
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
元件数量	2
端子数量	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN AND PNP
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

	PBLS6003D/T2	PBLS6003D
描述	Small Signal Bipolar Transistor	Small Signal Bipolar Transistor
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Nexperia	Nexperia
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	compliant	compliant
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30	30
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
元件数量	2	2
端子数量	6	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	NPN AND PNP	NPN AND PNP
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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