TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量 | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 300 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 250 ns |
| 最大开启时间（吨） | 35 ns |
| VCEsat-Max | 1 V |
| PN2222A-T | PN2222A,126 | PN2222A,412 | PN2222A-T/R | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal | trans npn SW 600ma 40v to92 | trans npn SW 600ma 40v to92 | 600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | PLASTIC, SPT, SC-43, 3 PIN | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow | unknow | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A | 0.6 A | 0.6 A | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量 | 8 pF | 8 pF | 8 pF | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 40 | 100 | 40 | 40 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 | 250 | 250 | 250 |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | TIN | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 300 MHz | 300 MHz | 300 MHz | 300 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 250 ns | 250 ns | 250 ns | 250 ns |
| 最大开启时间（吨） | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| VCEsat-Max | 1 V | 1 V | 1 V | 1 V |
| 最大功率耗散 (Abs) | - | 0.625 W | 0.625 W | 0.625 W |
意法半导体-低功耗射频
单片机
模拟与混合信号
电子竞赛
单片机
模拟电子
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
