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SSM3J312T

产品描述TRANSISTOR 2700 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSM, 2-3S1A, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小197KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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SSM3J312T概述

TRANSISTOR 2700 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSM, 2-3S1A, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

SSM3J312T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.7 A
最大漏极电流 (ID)2.7 A
最大漏源导通电阻0.091 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.7 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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