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2N4387

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共1页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
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2N4387概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

2N4387规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-66
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)25 MHz
Base Number Matches1

 
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