OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDSO8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOIC-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00003 µA |
最小共模抑制比 | 55 dB |
标称共模抑制比 | 80 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 5000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
负供电电压上限 | -8 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -7.5 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
包装方法 | TAPE AND REEL |
电源 | 5/+-7.5/15 V |
认证状态 | Not Qualified |
标称压摆率 | 30 V/us |
最大压摆率 | 15 mA |
供电电压上限 | 8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 7.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BIMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
标称均一增益带宽 | 15000 kHz |
最小电压增益 | 50000 |
CA5130AM96 | |
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描述 | OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDSO8 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOIC-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00003 µA |
最小共模抑制比 | 55 dB |
标称共模抑制比 | 80 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 5000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
负供电电压上限 | -8 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -7.5 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
包装方法 | TAPE AND REEL |
电源 | 5/+-7.5/15 V |
认证状态 | Not Qualified |
标称压摆率 | 30 V/us |
最大压摆率 | 15 mA |
供电电压上限 | 8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 7.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BIMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
标称均一增益带宽 | 15000 kHz |
最小电压增益 | 50000 |
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