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CA5130AE

产品描述OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 15 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PACKAGE-8
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共18页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
相似器件已查找到12个与CA5130AE功能相似器件
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CA5130AE概述

OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 15 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PACKAGE-8

CA5130AE规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数8
Reach Compliance Codeunknown
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
标称共模抑制比80 dB
最大输入失调电压5000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
负供电电压上限-8 V
标称负供电电压 (Vsup)-7.5 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
标称压摆率30 V/us
供电电压上限8 V
标称供电电压 (Vsup)7.5 V
表面贴装NO
技术BIMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
标称均一增益带宽15000 kHz

CA5130AE相似产品对比

CA5130AE CA5130E CA5130M CA5130AM CA5130AT CA5130AM96
描述 OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 15 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PACKAGE-8 OP-AMP, 15000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDIP8, PACKAGE-8 OP-AMP, 15000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDSO8, PACKAGE-8 OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDSO8, PACKAGE-8 OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, MBCY8, PACKAGE-8 OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDSO8, PACKAGE-8
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
零件包装代码 DIP DIP SOIC SOIC BCY SOIC
包装说明 DIP, PACKAGE-8 PACKAGE-8 PACKAGE-8 PACKAGE-8 PACKAGE-8
针数 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
标称共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB 80 dB 80 dB 80 dB
最大输入失调电压 5000 µV 15000 µV 15000 µV 5000 µV 5000 µV 5000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 O-MBCY-W8 R-PDSO-G8
负供电电压上限 -8 V -8 V -8 V -8 V -8 V -8 V
标称负供电电压 (Vsup) -7.5 V -7.5 V -7.5 V -7.5 V -7.5 V -7.5 V
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY METAL PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE CYLINDRICAL SMALL OUTLINE
标称压摆率 30 V/us 30 V/us 30 V/us 30 V/us 30 V/us 30 V/us
供电电压上限 8 V 8 V 8 V 8 V 8 V 8 V
标称供电电压 (Vsup) 7.5 V 7.5 V 7.5 V 7.5 V 7.5 V 7.5 V
表面贴装 NO NO YES YES NO YES
技术 BIMOS BIMOS BIMOS BIMOS BIMOS BIMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING WIRE GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL BOTTOM DUAL
标称均一增益带宽 15000 kHz 15000 kHz 15000 kHz 15000 kHz 15000 kHz 15000 kHz
封装代码 DIP DIP SOP SOP - SOP

与CA5130AE功能相似器件

器件名 厂商 描述
CA5130AE Harris Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIMOS, PDIP8
LF357N Motorola ( NXP ) Operational Amplifier, 1 Func, 13000uV Offset-Max, PDIP8
LF157AD Raytheon Company Operational Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
LF157AD/883B Raytheon Company Operational Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
LF357AJ Motorola ( NXP ) Operational Amplifier, 1 Func, 2300uV Offset-Max, CDIP8
CA3130AE RCA Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, PDIP8,
LF157AJ Renesas(瑞萨电子) IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,CERAMIC
PM157AZ Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 2300uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMATIC SEALED, CERAMIC, DIP-8
JM38510/11406BPA Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMETIC SEALED, DIP-8
PM357AZ Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 2300uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMATIC SEALED, CERAMIC, DIP-8
JM38510/11403BPB Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 7000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMETIC SEALED, DIP-8
CA5160AE Harris Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIMOS, PDIP8
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