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2N5349

产品描述Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共1页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
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2N5349概述

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 Pin,

2N5349规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)7 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JEDEC-95代码TO-111
JESD-30 代码O-MUPM-D4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)60 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
VCEsat-Max0.7 V
Base Number Matches1
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