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CA3096M

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 5-Element, NPN and PNP, Silicon, MS-012AC, MS-012AC, 16 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小300KB,共13页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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CA3096M概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 5-Element, NPN and PNP, Silicon, MS-012AC, MS-012AC, 16 PIN

CA3096M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压35 V
配置SEPARATE, 5 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)150
JEDEC-95代码MS-012AC
JESD-30 代码R-PDSO-G16
JESD-609代码e0
元件数量5
端子数量16
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN AND PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)335 MHz
VCEsat-Max0.7 V

CA3096M相似产品对比

CA3096M CA3096CE CA3096M96 CA3096AE CA3096AM96 CA3096AM
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 5-Element, NPN and PNP, Silicon, MS-012AC, MS-012AC, 16 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 24V V(BR)CEO, 5-Element, NPN and PNP, Silicon, MS-001BB, MS-001BB, 16 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 5-Element, NPN and PNP, Silicon, MS-012AC, MS-012AC, 16 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 5-Element, NPN and PNP, Silicon, MS-001BB, MS-001BB, 16 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 5-Element, NPN and PNP, Silicon, MS-012AC, MS-012AC, 16 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 5-Element, NPN and PNP, Silicon, MS-012AC, MS-012AC, 16 PIN
厂商名称 Harris Harris Harris Harris Harris Harris
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 IN-LINE, R-PDIP-T16 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 IN-LINE, R-PDIP-T16 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 35 V 24 V 35 V 35 V 35 V 35 V
配置 SEPARATE, 5 ELEMENTS SEPARATE, 5 ELEMENTS SEPARATE, 5 ELEMENTS SEPARATE, 5 ELEMENTS SEPARATE, 5 ELEMENTS SEPARATE, 5 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 150 100 150 150 150 150
JEDEC-95代码 MS-012AC MS-001BB MS-012AC MS-001BB MS-012AC MS-012AC
JESD-30 代码 R-PDSO-G16 R-PDIP-T16 R-PDSO-G16 R-PDIP-T16 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16
元件数量 5 5 5 5 5 5
端子数量 16 16 16 16 16 16
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO YES NO YES YES
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 335 MHz 335 MHz 335 MHz 335 MHz 335 MHz 335 MHz
VCEsat-Max 0.7 V 0.7 V 0.7 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 - 不符合
JESD-609代码 e0 e0 - e0 - e0
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)

 
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