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2N6770E3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, ROHS COMPLIANT, TO-3, METAL CAN-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小966KB,共9页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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2N6770E3概述

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, ROHS COMPLIANT, TO-3, METAL CAN-2

2N6770E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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