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2N6704

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,130V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小351KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2N6704概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,130V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220AB

2N6704规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Code_compli
最大集电极电流 (IC)7 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)20 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

2N6704相似产品对比

2N6704 2N6702
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,130V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220AB TRANSISTOR,BJT,NPN,90V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code _compli _compli
最大集电极电流 (IC) 7 A 7 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 20 20
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz
Base Number Matches 1 1
CP2112评估板用户手册
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