Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin, TO-61, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | TO-61 |
包装说明 | TO-61, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 10 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 8 |
JEDEC-95代码 | TO-61 |
JESD-30 代码 | O-MUPM-D3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 50 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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