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G5SBA20E3-E3

产品描述DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小261KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准  
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G5SBA20E3-E3概述

DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

G5SBA20E3-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明R-PSFM-T4
针数4
制造商包装代码CASE GBU
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2.8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE

G5SBA20E3-E3相似产品对比

G5SBA20E3-E3 G5SBA60E3-E3
描述 DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode DIODE 2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
针数 4 4
制造商包装代码 CASE GBU CASE GBU
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A
元件数量 4 4
相数 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 2.8 A 2.8 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 600 V
表面贴装 NO NO
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE

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