DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
包装说明 | R-PSFM-T4 |
针数 | 4 |
制造商包装代码 | CASE GBU |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | UL RECOGNIZED |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值正向电流 | 150 A |
元件数量 | 4 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 2.8 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 200 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
G5SBA20E3-E3 | G5SBA60E3-E3 | |
---|---|---|
描述 | DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode | DIODE 2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | R-PSFM-T4 | R-PSFM-T4 |
针数 | 4 | 4 |
制造商包装代码 | CASE GBU | CASE GBU |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
其他特性 | UL RECOGNIZED | UL RECOGNIZED |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T4 | R-PSFM-T4 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
最大非重复峰值正向电流 | 150 A | 150 A |
元件数量 | 4 | 4 |
相数 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
最大输出电流 | 2.8 A | 2.8 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 200 V | 600 V |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE |
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