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FMMT491

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小407KB,共3页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
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FMMT491概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

FMMT491规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
FMMT491
Features
Case Material: Molded Plastic.
Classification Rating 94V-0
Marking:491
Power dissipation: P
CM
=0.5W(T
amb
=25℃)
Collector current: I
c
=1A
UL Flammability
NPN Silicon Planar
High Performance
Transistor
Unit
V
V
V
A
mW
F
Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
tot
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current,
Power Dissipation at Tamb=25℃
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
60
80
5.0
1.0
500
-55 to +150
-55 to +150
SOT-23
A
D
C
C
B
B
E
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
G
E
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
(I
C
=10mAdc, I
B
=0)
60
---
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=100µAdc, I
E
=0)
80
---
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=100µAdc, I
C
=0)
5.0
---
I
CBO
Collector Cutoff Current
(V
CB
=60Vdc, I
E
=0Vdc)
---
0.1
I
EBO
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=4.0Vdc, I
C
=0)
---
0.1
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage*
---
0.25
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
(I
C
=1Adc, I
B
=100mAdc)
---
0.5
V
BE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage*
(I
C
=1Adc, I
B
=100mAdc)
---
1.1
V
BE
Base-Emitter Voltage*
(V
CE
=5Vdc, I
C
=1Adc)
---
1
h
FE
DC Current Gain
---
100
(V
CE
=5Vdc, I
C
=1mAdc)
300
100
(V
CE
=5Vdc, I
C
=500mAdc)*
---
80
(V
CE
=5Vdc, I
C
=1Adc)*
---
30
(V
CE
=5Vdc, I
C
=2Adc)*
f
T
Transition Frequency
(I
C
=50mAdc, V
CE
=10Vdc, f=100MHz)
150
---
C
ob
Output Capacitance
(V
CB
=10Vdc, f=1.0MHz)
---
10
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300us. Duty cycle≦2%
V
(BR)CEO
H
J
Vdc
Vdc
Vdc
uAdc
uAdc
Vdc
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
K
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
.110
.120
.083
.098
.047
.055
.035
.041
.070
.081
.018
.024
.0005
.0039
.035
.044
.003
.007
.015
.020
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
Vdc
Vdc
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
inches
mm
---
MHz
pF
.037
.950
.037
.950
Revision: 2
www.mccsemi.com
1 of 3
2006/05/14

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FMMT491 FMMT491P
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
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