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FMMT2907R

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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FMMT2907R概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

FMMT2907R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Diodes
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)75
JESD-30 代码R-PDSO-G3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
最大关闭时间(toff)110 ns
最大开启时间(吨)50 ns

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SOT23 PNP SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 3 – FEBRUARY 1996
7
FEATURES
* Fast switching
COMPLIMENTARY TYPES - FMMT2907 –
- FMMT2907A –
PARTMARKING DETAIL -
FMMT2907 –
FMMT2907A –
FMMT2907R –
FMMT2907AR –
FMMT2907
FMMT2907A
FMMT2222
FMMT2222A
2BZ
2F
4P
5P
FMMT2907
-40
-5
-600
330
-55 to +150
C
B
SOT23
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
FMMT2907A
-60
-60
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
FMMT2907
FMMT2907A UNIT CONDITIONS.
MAX.
V
V
V
-50
-10
-10
-50
-0.4
-1.6
-1.3
-2.6
75
100
100
100
50
200
nA
µ
A
MIN.
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Cut-Off Current
Collector Cut-Off
Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward
Current Transfer
Ratio
Transition
Frequency
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CEX
I
CBO
-40
-60
-5
MAX. MIN.
-60
-60
-5
-50
-20
-20
-50
-0.4
-1.6
-1.3
-2.6
I
C
=-10
µ
A, I
E
=0
I
C
=-10mA, I
B
=0*
I
E
=-10
µ
A, I
C
=0
V
CE
=-30V, V
BE
=-0.5V
V
CB
=-50V, I
E
=0
V
CB
=-50V, I
E
=0, T
amb
=150°C
V
CE
=-30V, V
BE
=-0.5V
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-0.1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V
I
C
=-150mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-10V*
nA
nA
V
V
V
V
Base Cut-Off Current I
B
V
CE(sat)
V
BE(sat)
h
FE
35
50
75
100
30
200
300
300
MHz
f
T
I
C
=-50mA, V
CE
=-20V
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
2%
PAGE NUMBER

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