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2N5960E3

产品描述Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2N5960E3概述

Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin,

2N5960E3规格参数

参数名称属性值
Objectid8059220495
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压100 V
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码O-MUPM-D3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型PNP
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON

 
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