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2MI100F050

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小316KB,共4页
制造商Fuji Electric Co Ltd
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2MI100F050概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

2MI100F050规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)100 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)400 W
表面贴装NO
Base Number Matches1

2MI100F050相似产品对比

2MI100F050 2MI100F025 6MI15FS050 6MI20FS025
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Reach Compliance Code unknow unknow unknown unknown
配置 Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 100 A 100 A 15 A 20 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 400 W 400 W 60 W 40 W
表面贴装 NO NO NO NO
Base Number Matches 1 1 1 1
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