Dual/Quad, Low Power CMOS Operational Amplifiers; PDIP8, SOIC8; Temp Range: 0° to 70°
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Intersil |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | PDIP, SOIC |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8, 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| Samacsys Description | Intersil ICL7621DCPAZ, Dual Op Amp, 0.48MHz CMOS, 3 → 15 V, 8-Pin PDIP |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0004 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA |
| 标称共模抑制比 | 91 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 20000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 9.585 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 负供电电压上限 | -9 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE |
| 电源 | +-5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.33 mm |
| 标称压摆率 | 0.16 V/us |
| 最大压摆率 | 0.5 mA |
| 供电电压上限 | 9 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
| 标称均一增益带宽 | 480 kHz |
| 最小电压增益 | 5600 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| ICL7621DCPAZ | |
|---|---|
| 描述 | Dual/Quad, Low Power CMOS Operational Amplifiers; PDIP8, SOIC8; Temp Range: 0° to 70° |
| Brand Name | Intersil |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | PDIP, SOIC |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8, 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| Samacsys Description | Intersil ICL7621DCPAZ, Dual Op Amp, 0.48MHz CMOS, 3 → 15 V, 8-Pin PDIP |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0004 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA |
| 标称共模抑制比 | 91 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 20000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 9.585 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 负供电电压上限 | -9 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE |
| 电源 | +-5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.33 mm |
| 标称压摆率 | 0.16 V/us |
| 最大压摆率 | 0.5 mA |
| 供电电压上限 | 9 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
| 标称均一增益带宽 | 480 kHz |
| 最小电压增益 | 5600 |
| 宽度 | 7.62 mm |
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