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KSB1151YS

产品描述5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小760KB,共7页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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KSB1151YS概述

5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

KSB1151YS规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级NOT APPLICABLE
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

KSB1151YS相似产品对比

KSB1151YS KSB1151YSTU
描述 5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 200 200
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 NO NO
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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