5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 200 |
JEDEC-95代码 | TO-126 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | NOT APPLICABLE |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
KSB1151YS | KSB1151YSTU | |
---|---|---|
描述 | 5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 | 5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 5 A | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V | 60 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 200 | 200 |
JEDEC-95代码 | TO-126 | TO-126 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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