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AS7C33256FT18B-75TQIN

产品描述Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小401KB,共19页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
标准  
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AS7C33256FT18B-75TQIN概述

Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100

AS7C33256FT18B-75TQIN规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)245
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
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