G2060M1TB1S,G2060M1TB1S pdf中文资料,G2060M1TB1S引脚图,G2060M1TB1S电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> G2060M1TB1S

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G2060M1TB1S: 产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小22KB，共1页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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G2060M1TB1S概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

G2060M1TB1S规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
元件数量	4
相数	1
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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