EE PLD, 10ns, 64-Cell, CMOS, CQCC44, CERAMIC, LCC-44
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | QCCJ, LDCC44,.7SQ |
针数 | 44 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
其他特性 | 64 MACROCELLS; CONFIGURABLE I/O OPERATION WITH 3.3V OR 5V |
最大时钟频率 | 83 MHz |
系统内可编程 | YES |
JESD-30 代码 | S-CQCC-J44 |
JESD-609代码 | e0 |
JTAG BST | YES |
长度 | 16.4846 mm |
专用输入次数 | 1 |
I/O 线路数量 | 32 |
宏单元数 | 64 |
端子数量 | 44 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 1 DEDICATED INPUTS, 32 I/O |
输出函数 | MACROCELL |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC44,.7SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 3.3/5,5 V |
可编程逻辑类型 | EE PLD |
传播延迟 | 10 ns |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度 | 4.826 mm |
最大供电电压 | 5.5 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 16.4846 mm |
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