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K4E660811C-TC600: 产品描述EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32; 产品类别存储存储; 文件大小414KB，共21页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4E660811C-TC600概述

EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2,
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
长度	20.95 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

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