Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYM5V72A834ATHG-50

文档预览

HYM5V72A834ATHG-50: 产品描述EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小226KB，共10页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HYM5V72A834ATHG-50概述

EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168

HYM5V72A834ATHG-50规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
最大待机电流	0.00468 A
最大压摆率	1.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HYM5V72A804A H-Series

Buffered 8Mx72 bit CMOS DRAM MODULE

based on 8Mx8 DRAM, EDO, ECC, 3.3V, 4K/8K-Refresh

DESCRIPTION

The HYM5V72A804A H-Series is a 8Mx72-bit EDO mode CMOS DRAM module consisting of nine 8Mx8

TSOP and 16-bit BiCMOS line driver in TSSOP on a 168 pin glass-epoxy printed circuit board. 0.1µF and

0.01µF decoupling capacitors are mounted for each DRAM. The HYM5V72A804AH G-series is gold plated

socket type Dual In-line Memory Module suitable for easy interchange and addition of 64M byte memory.

FEATURES

•

Max. Active Power Dissipation

Speed

3.60W

2.95W

4.57W

3.92W

•

Single power supply of 3.3V

10%

•

Read-Modify-Write Capability

•

LVTTL compatible inputs and outputs

•

/CAS-before-/RAS, /RAS-only, Hidden

and Self refresh capability

•

Refresh cycles

tHPC

25ns

30ns

Part No.

HYM5V72A804A H-Series

HYM5V72A834A H-Series

Ref.

8K£

•

Fast access time and cycle time

Speed

tRAC

50ns

60ns

tCAC

18ns

20ns

•

168-Pin Buffered DIMM

•

Buffered inputs (except /RAS and DQ)

•

Parallel Presence Detect with PD/ID pin Matrix

•

Extended Data Out Operation

£ ª

/CAS-before-/RAS refresh, Hidden refresh

mode : 4K cycles / 64ms

PIN DISCRIPTION

/RAS0, /RAS2

/CAS0, /CAS4,

/WE0, /WE2

/OE0, /OE2

A0, B0, A1-A12

A0, B0, A1-A11

DQ0-DQ71

PD1-PD8

/PDE

ID0, ID1

VCC

VSS

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Write Enable

Output Enable

Address Input(8K Product)

Address Input(4K Product)

Data Input / Output

Presence Detect

Presence Detect Enable

ID Bit

Power (+3.3V)

Ground

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume

any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.03 / Jun.98

Hyundai Semiconductor

HYM5V72A834ATHG-50相似产品对比

	HYM5V72A834ATHG-50	HYM5V72A834ATHG-60	HYM5V72A804ASLTHG-50	HYM5V72A804ATHG-60	HYM5V72A804ATHG-50	HYM5V72A834ASLTHG-60	HYM5V72A834ASLTHG-50	HYM5V72A804ASLTHG-60
描述	EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168	168	168	168	168
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns	60 ns	50 ns	60 ns	50 ns	60 ns	50 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168	168	168	168	168
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	4096	4096	4096	8192	8192	4096
最大待机电流	0.00468 A	0.00468 A	0.00288 A	0.00468 A	0.00468 A	0.00288 A	0.00288 A	0.00288 A
最大压摆率	1.09 mA	0.91 mA	1.27 mA	1.09 mA	1.27 mA	0.91 mA	1.09 mA	1.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

推荐资源

函数问题求解！！！: void Dly100us(void *arg) { u32 Dely=(u32)arg; while(Dely--) { //(int i=1000;i; i--);//这行一打开，就出现..\main.c(134): error: #18: expected a ")"..\main.c: (int i=LOOP ......; z81032643 stm32/stm8

东芝光继电器TLP3547 频率测试: 东芝光继电器TLP3547 频率测试驱动信号：±5V，频率：10-300Hz，开关串联20Ω电阻接5V电源。测试如下：从测试频率的几张图片中说明，它是一个低频光电继电器，建议适用于10Hz以下的开 ......; 没钱的发烧友东芝光电继电器TLP3547评测

ADI正式收购Maxim之旧时记忆: ADI正式收购Maxim这条消息让我很吃惊。我在2002年开始接触单片机的时候，第一次接触的就是MAX232/MAX202。那时觉得串口除了MAX232就没有第二家了。唯一斗争的就是原厂的还是台系兼容的。自认为 ......; bigbat 国产芯片交流

Altera发布适用于自动化应用的工业安全数据套装: Altera公司发布适用于自动化应用的工业安全数据套装。此次发布是在德国纽伦堡嵌入式世界会展上进行的。　　与德国安全认证组织TÜV Rheinland合作，Altera推出了经过预认证的开发工具链， ......; eeleader FPGA/CPLD

请问各位谁有全国大学生电子竞赛的论文呀？: 请问各位谁有全国大学生电子竞赛的论文呀？能不能上传一些让我参考一下，我今年很荣幸的参加了全国大学生电子竞赛。由于是第一次参加没有什么经验，希望大家多多帮忙。谢谢！...; anyuhao 嵌入式系统

【实验指导】如何查看SoC FPGA的系统中FPGA侧添加的GPIO的编号: 本文由FPGA爱好者小梅哥编写，未经作者许可，本文仅允许网络论坛复制转载，且转载时请标明原作者。 Application to register interrupt and write simple interrupt service routine ......; 小梅哥 FPGA/CPLD

手机无线芯片出货量放缓但前景可期

　　市场研究集团Forward Concepts通过对WSTS的最新半导体出货量统计数据进行分析，认为尽管出现了手机芯片的出货量放缓现象，但对统计的数据表示质疑。　　手机专用DSP和RISC芯片的五月份出货量比四月份增加了8%，从去年五月份累计增长率为47%。　　Forward Concepts的总裁Will Strauss同时也指出，WSTS的报告称用于无线设备的DSP五月份出货量比四...[详细]
基于SOPC技术的医用呼吸机主控系统

　　呼吸机是可以代替人的呼吸功能或辅助人的呼吸功能的仪器。它适用于呼吸衰竭、甚至停止呼吸的病人做人工呼吸之用。它能帮助病人纠正缺氧和排出二氧化碳，是挽救某些危重病人生命的重要工具。　　现有的呼吸机产品，其主控系统大多基于单片机来实现，对于功能强一些的产品就需要使用高端单片机，这样使得系统的成本比较高，而且外围的接口模块较多，结构复杂。使用SOPC(可编程片上系统)技术设计主控系统，可充分利用I...[详细]
支撑产业的落后是半导体产业发展瓶颈

　　没有支撑产业的发展就不可能建立我国自主的半导体产业，只有半导体支撑产业形成完善的配套体系，才能推动半导体行业高速发展。　　我国在“十一五”规划中特别提到，要发展我国自己的半导体产业。我国半导体行业国家“十一五”发展目标包括：集成电路产业年均增长率在30%以上，到2010年将实现3000亿元的销售额，约占当时世界集成电路市场份额的8%。制造业的生产技术达到12英寸、90纳米-65纳米水平。...[详细]
Intel CEO:收入激增受益于全球芯片销量

　　英特尔公司的首席执行官10日声称，公司第二季度良好表现受益于全球芯片销量的强劲增长。　　综合外电7月10日报道，英特尔公司（IntelCorp）首席执行官保罗·欧德宁(PaulOtellini)10日声称，公司正在从国外强劲增长的芯片销售中获益。他认为英特尔公司不同于美国其他公司之处在于英特尔公司75％的收入并不是来自美国，公司的足迹遍及全球。全球市场对公司产品的需求确实非常强劲。　...[详细]
CEVA被评为全球可授权DSP技术的领导厂商

CEVA 公司宣布，权威市场研究机构 Gartner 公司已将 CEVA 评为全球可授权 DSP 技术的领导厂商，在 2007 年的数字信号处理器授权市场取得超过 60% 的占有率。 Gartner 在 “市场份额： 2007 年全球半导体知识产权” 的报告中提到， CEVA 的总体 DSP 授权市场份额每年增长 10% ，使到 CEVA ...[详细]
未来几年忆阻器发展将迎来黄金时期

　　电子电路理论中的第四种无源元件——忆阻器（Memristor），通过控制衬底（基片）材料有望在2009年制作出一种新的存储器，从而向制造原型迈进了一大步。　　4月，HP Labs的研究者声称他们已经制造出忆阻器，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授在1971年的一篇论文中，假定其为第四种无源元件，其他三种则是电阻器、电容器和电感器。如今，HP Labs声称他们已经证实了怎样控制忆阻器材料，它会...[详细]
传感与RFID在血液管理分析中运用

　　1 引言　　传感技术与RFID的融合运用还刚刚起步，中国作为世界的制造业大国与消费大国之一，应牢牢抓住这一机遇，自主探索，推动本土RFID产业的发展，提升社会信息化的水平。　　RFID，即无线射频识别技术，利用射频信号通过空间耦合(交变磁场或电磁场)实现无接触的信息传递，并通过所传递的信息达到识别目的，被列为21世纪最有前途的重要产业和应用技术之一。　　RFID标签具有体...[详细]
一种新颖的电子式PS压力传感器

　　概述　　PS压力传感器是一种利用半导体膜片结构制成的电子式压力传感器，它可将空气压力这一物理量变换成电信号, 并能够高精度、线性地检测出压力的变化。它是松下电工公司近年推出的新产品。　　早在1954年美国C.S.Smith首先确认了半导体压电电阻效应，1955年C.Herring指出：这种压电电阻效应是由于应力的作用，引起导体与价电子带能量状态的变化，以及载流子数量与迁移率变化所产生...[详细]
可嵌入心电震发生器的电击系统方案

　　可嵌入心电震发生器（Implantable Cardivoerter Defibrillators-ICD）已通用几年了。ICD在连接到心脏的两个电极之间施加高压脉冲，它随时检测心脏纤维性颤动。此脉冲可高达800V，在几毫秒期间电流达几十安培。　　用电荷泵产生高电压并把它存储存一个大电容器上。通常，电击（脉冲）通过一个2相脉冲传送到心脏。图1示出2相电震发生器系统和产生所需双相脉冲的高压桥...[详细]
基于LabVIEW快速搭建医疗设备原型

　　21世纪是生命和健康的世纪，生命科学的飞速进步不断推动着人类对自身健康和疾病的认识，如何开发创新型的医疗电子设备也成为研究的热点之一。　　医疗设备研究内容涉及众多工程学研究领域，如电子学、计算机、信息处理、光学、精密机械学等。随着医学的发展、治疗手段的多样化和相关工程领域技术的不断进步，医疗电子设备正变得日益复杂化。一般大型医疗设备由多个子系统组成，需要集成多种传感器、机械部件、电子元件，如...[详细]
PCI总线数据输出板驱动程序的开发(图)

　　PCI(Perip heral Component Interconnect )是一种先进的高性能32/64位局部总线，支持线性突发传输，数据最大传输率可达132MB/s。同时，PCI总线存取延误小，采用总线主控和同步操作，不受处理器限制，具有自动配置功能，非常适合于高速外设。所以，它正迅速取代原先的ISA总线成为微型计算机系统的主流总线。　　随着工业控制pci设备的增多，需要开发大量专...[详细]
基于Bang-Bang控制的温湿度调节系统(图)

　　在一些仓储管理、生产制造、气象观测、科学研究以及日常生活中，对温湿度的要求普遍存在，如《档案库房技术管理暂行规定》中就明确指出：档案库房（含胶片库、磁带库）的温度应控制在14～24℃，有设备的库房日变化幅度不超过±2℃；相对湿度应控制在45%～60%，有设备的库房日变化幅度不超过±5%。本文利用新型的C8051F020单片机和I2C总线数字式温湿度传感器SHT11设计了一套满足此要求的自动化...[详细]
英特尔推出新的嵌入式新处理器及芯片组

　　英特尔推出了面向嵌入式用户的英特尔® 酷睿™2 双核处理器 T9400和移动式英特尔® GM45 高速芯片组，并提供长达7年的超长生命周期支持。本次推出的处理器和芯片组是全新的英特尔® 迅驰® 2 平台的构成组件，可为移动应用程序带来更耐久的电池使用时间和广泛的无线网络互操作性。　　新推出的英特尔® 酷睿™2 双核处理器 T9400经验证可支持英特尔® 5100 内存控制器中枢(MCH)...[详细]
五大工业展会联袂打造华南制造业盛宴

　　2008年8月26-29日，华南地区的五大品牌工业展会——NEPCON / EMT 华南展（第十四届华南国际电子生产设备暨微电子工业展/华南国际电子制造技术展览会）、华南国际汽车电子展（AE South China）、华南国际工业组装技术与装备展览会（ATE South China）和华南国际平面显示器制造技术展（Finetech South China）将在深圳会展中心隆重举行。从组委会获...[详细]
移动WiMax参数指标及射频测试浅析

　　WiMax技术要在具体的应用场景中体现出自身的优势，才能得到市场的认可，这就需要通过应用测试来衡量系统的性能参数。根据WiMax论坛制定的系统参数指标以及测试要求，WiMax的测试方法分为三部分：协议分析、无线射频分析、传输性能分析。本文主要介绍移动WIMAX参数指标，介绍了一些针对802.16d(2004)、802.16e(2005)的标准信号射频性能测试。　　WiMAX简介 ...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多