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KMCJ5324100-8

产品描述DRAM Card, 4MX32, 80ns, MOS
产品类别存储    存储   
文件大小321KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KMCJ5324100-8概述

DRAM Card, 4MX32, 80ns, MOS

KMCJ5324100-8规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度16
JESD-30 代码X-XXMA-X88
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型DRAM CARD
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量88
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED

KMCJ5324100-8相似产品对比

KMCJ5324100-8 KMCJ5324100-6 KMCJ5324100-7
描述 DRAM Card, 4MX32, 80ns, MOS DRAM Card, 4MX32, 60ns, MOS DRAM Card, 4MX32, 70ns, MOS
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 80 ns 60 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度 16 16 16
JESD-30 代码 X-XXMA-X88 X-XXMA-X88 X-XXMA-X88
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 DRAM CARD DRAM CARD DRAM CARD
内存宽度 32 32 32
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 88 88 88
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX32 4MX32 4MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED

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