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BYQ28EB-200T/R

产品描述DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小289KB,共9页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BYQ28EB-200T/R概述

DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYQ28EB-200T/R规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流55 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE

BYQ28EB-200T/R相似产品对比

BYQ28EB-200T/R BYQ28EB-150T/R
描述 DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode DIODE 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 ULTRA FAST SOFT RECOVERY ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 55 A 55 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 2 2
最大输出电流 5 A 5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 150 V
最大反向恢复时间 0.025 µs 0.025 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
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