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SI2304DS

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小368KB,共13页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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SI2304DS概述

Small Signal Field-Effect Transistor

SI2304DS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
Samacsys DescriptionSI2304DS, N-channel MOSFET Transistor 1.7 A 30 V, 3-Pin TO-236AB
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)1.7 A
最大漏源导通电阻0.19 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)56 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SI2304DS相似产品对比

SI2304DS SI2304DST/R
描述 Small Signal Field-Effect Transistor Small Signal Field-Effect Transistor
厂商名称 Nexperia Nexperia
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 1.7 A 1.7 A
最大漏源导通电阻 0.19 Ω 0.19 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 56 pF 56 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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