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RD2.2SB

产品描述Zener Diode, 2.2V V(Z), 6.67%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小57KB,共10页
制造商NEC(日电)
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RD2.2SB概述

Zener Diode, 2.2V V(Z), 6.67%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2

RD2.2SB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压2.2 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差6.67%
工作测试电流5 mA

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DATA SHEET
ZENER DIODES
RD2.0S to RD120S
ZENER DIODES
200 mW 2 PIN SUPER MINI MOLD
DESCRIPTION
Type RD2.0S to RD120S series are 2 pin super mini
mold package zener diodes possessing an allowable
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeter)
2.5±0.15
1.7±0.1
FEATURES
Sharp breakdown characteristic.
V
Z
: Applied E24 standard.
0.19
Cathode
Indication
Circuit for constant voltage, constant current, wave form
clipper, surge absorver, etc.
0.11
+0.05
−0.01
0±0.05
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C)
Power Dissipation
Forward Current
Reverse Surge Power
Junction Temperature
Storage Temperature
P
I
F
P
RSM
T
j
T
stg
200
100
85
150
–55 to +150
mW
mA
W
°C
°C
(at t = 10
µ
s/ 1 pulse) Show Fig.12
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confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No.
D11444EJ4V0DS00 (4th edition)
Date Published March 2002 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
5
shows major revised points.
0.9±0.1
APPLICATIONS
0.3±0.05
1.25±0.1
power dissipation of 200 mW.
©
1995

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