7130SA55TFGB,7130SA55TFGB pdf中文资料,7130SA55TFGB引脚图,7130SA55TFGB电路-Datasheet-电子工程世界

7130SA55TFGB: 产品描述Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64; 产品类别存储存储; 文件大小272KB，共21页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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7130SA55TFGB概述

Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	LFQFP, QFP64,.47SQ,20
针数	64
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G64
JESD-609代码	e3
长度	10 mm
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	64
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	1KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装等效代码	QFP64,.47SQ,20
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	10 mm

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