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RS603

产品描述Bridge Rectifier Diode, 6A, 200V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小72KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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RS603概述

Bridge Rectifier Diode, 6A, 200V V(RRM),

RS603规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流6 A
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
RS601 --- RS607
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 6.0 A
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
Rating to 1000V PRV
Surge overload rating to 150 Amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique results in inexpensive product
Lead solderable per MIL-STD-202 method 208
RS6
.935(23.7)
.895(3.6)
.185(4.7)
.165(4.2)
.160(4.1)
.140(3.6)
45
0
.280(7.1)
.260(6.6)
.085(2.2)
.065(1.7)
.760(19.3)Max
.700(17.8)
.660(16.8)
+
+
_
.075(1.9)R.TYP.
(2 PLACES)
~
~
+
.455(11.3)
.405(10.3)
1.0(25.4)Min
.260(6.6)
.180(4.5)
.205(5.2)
.185(4.7)
.052(1.3)
.048(1.2)
.220(5.6)
.180(4.6)
inch(mm)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
RS601 RS602 RS603 RS604 RS605 RS606 RS607 UNITS
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard
output current
@T
A
=50
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
6.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
at 3.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
150.0
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.0
10.0
1.0
- 55 ---- + 125
- 55 ---- + 150
V
μA
mA
Operating junction temperature range
Storage temperature range
www.galaxycn.com
Document Number 0287020
BL
GALAXY ELECTRICAL
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