40V,0.2A,General Purpose PNP Bipolar Transistor, Diodes, PNP, 40V, 0.2A, 100, 300, 1V
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Galaxy Microelectronics |
| 零件包装代码 | SOT-23 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 300 ns |
| 最大开启时间（吨） | 65 ns |
| 类别 | |
| 极性 | PNP |
| V(BR)CEO (V) min. | 40 |
| IC (A) | 0.2 |
| hFE min | 100 |
| hFE max | 300 |
| Condition1_VCE (V) | 1 |
| Condition1_IC (mA) | 10 |
| VCE (sat) (V) | 0.3 |
| Condition2_IC (mA) | 50 |
| Condition2_IB (mA) | 5 |
| fT (MHz) min. | 250 |
| PD (W) max. | 0.25 |
| AEC Qualified | No |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 是否无铅 | Yes |
| 符合Reach | Yes |
| 符合RoHS | Yes |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Package Outlines | SOT-23 |
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