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IDT70V659S12BFG8: 产品描述Dual-Port SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208; 产品类别存储存储; 文件大小317KB，共24页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT70V659S12BFG8概述

Dual-Port SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	208
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
JESD-30 代码	S-PBGA-B208
JESD-609代码	e1
长度	15 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	208
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	15 mm

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