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MMST2222A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小133KB,共3页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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MMST2222A概述

Small Signal Bipolar Transistor,

MMST2222A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)285 ns
最大开启时间(吨)35 ns

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BL
Galaxy Electrical
Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
Epitaxial planar die construction.
Complements the MMST2907A.
Ultra-small surface mount package.
Production specification
MMST2222A
Pb
Lead-free
APPLICATIONS
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor.
SOT-323
ORDERING INFORMATION
Type No.
MMST2222A
Marking
K3P
Package Code
SOT-323
MAXIMUM RATING
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j,
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Dissipation
Junction and Storage Temperature
Value
75
40
6
600
200
-55~150
Units
V
V
V
mA
mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Document number: BL/SSSTF006
Rev.A
www.galaxycn.com
1

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