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MRF5003R1: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小562KB，共10页; 制造商Motorola ( NXP ); 官网地址https://www.nxp.com

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MRF5003R1概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

参数名称	属性值
厂商名称	Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code	unknown
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	36 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	1.7 A
最大漏极电流 (ID)	1.7 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	5.4 pF
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-CXMW-N3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROWAVE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	12.5 W
最大功率耗散 (Abs)	12.5 W
最小功率增益 (Gp)	9.5 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UNSPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

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