NAND512R4M5BZB5E,NAND512R4M5BZB5E pdf中文资料,NAND512R4M5BZB5E引脚图,NAND512R4M5BZB5E电路-Datasheet-电子工程世界

NAND512R4M5BZB5E: 产品描述Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA149, 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-149; 产品类别存储存储; 文件大小227KB，共23页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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NAND512R4M5BZB5E概述

Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA149, 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-149

参数名称	属性值
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	149
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	LPSDRAM IS ORGANISED AS 16M X 16
JESD-30 代码	R-PBGA-B149
长度	13.5 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	149
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-30 °C
组织	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10 mm

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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