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NAND128R3A2BN6E

产品描述Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
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文件大小1MB,共56页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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NAND128R3A2BN6E概述

Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48

NAND128R3A2BN6E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3/e6
长度18.4 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN/TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型SLC NAND TYPE
宽度12 mm
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